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簡(jiǎn)要描述:DPA破壞性物理元器件失效分析:廣電計(jì)量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù),其中針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi),針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件,提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
品牌 | 廣電計(jì)量 | 服務(wù)區(qū)域 | 全國 |
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服務(wù)資質(zhì) | CNAS認(rèn)可 | 服務(wù)周期 | 常規(guī)5-7個(gè)工作日 |
加急服務(wù) | 可提供 | 發(fā)票 | 可提供 |
報(bào)告類型 | 中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告 |
服務(wù)范圍
DPA破壞性物理元器件失效分析:集成電路芯片、電子元件、分立器件、機(jī)電類器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線接?類、 通?數(shù)字電路、模擬開關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類等。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
●GJB128A-97半導(dǎo)體分?器件試驗(yàn)方法
●GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法
●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序
●GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術(shù)要求
●GJB40247A-2006J用電子元器件破壞性物理分析方法
●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南
●MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法
●MIL-STD-883G微電子器件試驗(yàn)方法和程序
檢測(cè)項(xiàng)目
●非破壞性項(xiàng)目:外部目檢、X 射線檢查、PIND、密封、引出端強(qiáng)度、聲學(xué)顯微鏡檢查;
●破壞性項(xiàng)目:激光開封、化學(xué)開封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強(qiáng)度、剪切強(qiáng)度、粘接強(qiáng)度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、ESD測(cè)試
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
DPA破壞性物理元器件失效分析:電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量偽造翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng),如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。
我們的優(yōu)勢(shì)
●提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析,其中針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能力,將問題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi);
●針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件,提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。
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