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第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價

簡要描述:第三代半導(dǎo)體作為一種理想的半導(dǎo)體材料,在新一代信息技術(shù)、新基建等領(lǐng)域得到了愈發(fā)廣泛的應(yīng)用。對于國內(nèi)企業(yè)而言,要獲取市場信任,檢測是證明第三代半導(dǎo)體質(zhì)量與可靠性的可行手段,同時也是提高其質(zhì)量可靠性的重要保障。廣電計量特意推出第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價服務(wù),助力企業(yè)產(chǎn)品高效發(fā)展。

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時間:2024-11-06
  • 訪問次數(shù):1595

詳細介紹

品牌廣電計量服務(wù)區(qū)域全國
服務(wù)周期常規(guī)5-7個工作日服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS
服務(wù)費用視具體項目而定

服務(wù)背景

在第三代半導(dǎo)體的代表中,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)目前是技術(shù)較為成熟的材料,*的性能使其在新一代運動通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。SiCGaN器件憑借杰出的系統(tǒng)性能,給許多應(yīng)用帶來更高的效率和功率密度,以及更低的系統(tǒng)成本。然而,與所有的新技術(shù)一樣,SiC、GaN器件必須全面嚴(yán)格地遵循技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量檢驗程序。廣電計量特意推出第三代半導(dǎo)體可靠性驗證與評價服務(wù),助力企業(yè)產(chǎn)品高效發(fā)展。

服務(wù)內(nèi)容

廣電計量圍繞JEDEC系列標(biāo)準(zhǔn),從三方面進行技術(shù)能力布局:

1、識別潛在的失效模式和失效機制,并根據(jù)目標(biāo)壽命設(shè)計確認測試;

2、將樣品置于適當(dāng)?shù)目煽啃詰?yīng)力下,以加速激發(fā)潛在的失效機制;

3、完成加速應(yīng)力后,對樣品進行測試,以確定其性能是否仍可接受。

針對SiC分立器件和模塊,廣電計量參照JEDEC、AECQ101AQG324標(biāo)準(zhǔn)進行檢測驗證,能力不僅覆蓋用于驗證傳統(tǒng)Si器件長期穩(wěn)定性的所有方法,還開發(fā)了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗,見表1。

1 SiC器件特定可靠性試驗

試驗試驗條件
HV-H3TRBVDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h
HTRB和負電壓VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h
動態(tài)H3TRBVDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h
動態(tài)反向偏壓(DRB)VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h
動態(tài)柵偏(DGS)次數(shù)≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C
HTFBSiC體二極管雙極退化

CaN器件的質(zhì)量及可靠性驗證以JEDECAECQ101為基準(zhǔn)進行,見表2,并針對GaN器件和Si基器件之間的差異實施表3試驗。

通用可靠性試驗

試驗試驗條件
HTRBTj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h
HTGBTj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h
H3TRBTj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h
TC-40°C to +125°C,≥1000cycles
HTSTa=150°C,t≥1000h
IOLDTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles
ESDHBM+CDM
MSL3Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles

3 CaN器件特定試驗

試驗試驗標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)加速耐久試驗JEP122,JEP180
動態(tài)高溫工作壽命
動態(tài)Rdon測試JEP173
持續(xù)開關(guān)測試JEP182

 









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